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900V N-Ch
蘇州東微半導體
東微半導體成立于2008年,注冊資本5053.2275萬元,是一家技術驅動型的半導體技術公司,在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累,專注半導體器件技術創(chuàng)新,擁有多項半導體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發(fā)表,標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。新聞聯(lián)播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道,引起了國內外業(yè)界的高度關注。2016年東微半導體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產,打破國外廠商壟斷。目前,東微半導體已成為國內高性能功率半導體領域的佼佼者,在新能源領域替代進口半導體產品邁出了堅實一步,產品進入多個國際一線客戶,并受到了客戶的一致好評。
Class Product Name Configuration Package MOQ BVds[V] Id [A] 25℃ Vgs(th) [Typ V] Rds(on) /ohm Vgs=10V Qg [nC] at 10V Features
Typ. Max.
900V N-Ch OSG90R7K2DF Single_N TO-252 2500 900           high speed switching, close to C7
OSG90R1K2DF Single_N TO-252 2500 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2AF Single_N TO-251 4950 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2IF Single_N TO-262 1000 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2FF Single_N TO-220F 1000 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2KF Single_N TO-263 800 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
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